
DS1225AD-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2107.83 грн |
12+ | 1866.21 грн |
36+ | 1794.44 грн |
60+ | 1653.05 грн |
108+ | 1617.83 грн |
252+ | 1567.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1225AD-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-150+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 150 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 150ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DS1225AD-150+ за ціною від 1494.58 грн до 2191.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1225AD-150+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 64Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025) |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
DS1225AD150 | Виробник : DS |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
DS1225AD150 | Виробник : DS | SOP-20 |
на замовлення 29000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1225AD-150 | Виробник : DS |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1225AD-150 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1225AD-150 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1225AD-150 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1225AD-150 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1225AD-150 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 709 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
DS1225AD-150+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
![]() Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 150ns; DIP28 Memory organisation: 8kx8bit Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Kind of memory: NV SRAM Kind of interface: parallel Mounting: THT Access time: 150ns Operating voltage: 4.5...5.5V Memory: 64kb SRAM кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
![]() Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 150ns; DIP28 Memory organisation: 8kx8bit Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Kind of memory: NV SRAM Kind of interface: parallel Mounting: THT Access time: 150ns Operating voltage: 4.5...5.5V Memory: 64kb SRAM |
товару немає в наявності |