
DS1225AD-150IND+ Analog Devices, Inc.
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 1535.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1225AD-150IND+ Analog Devices, Inc.
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-150IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 64kB, 8K x 8 Bit, 150ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: eDIP, Speicherdichte: 64Kbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 150ns, Zugriffszeit für Lesen: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DS1225AD-150IND+ за ціною від 1653.64 грн до 2439.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1225AD-150IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: eDIP Speicherdichte: 64Kbit MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 150ns Zugriffszeit für Lesen: 150ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 8K x 8 Bit SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
DS1225AD-150IND+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150IND+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
![]() Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 5V; 70ns; DIP28; parallel Mounting: THT Case: DIP28 Operating voltage: 5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 8kx8bit Access time: 70ns Kind of interface: parallel Memory: 64kb SRAM кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
DS1225AD-150IND+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
DS1225AD-150IND+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
![]() Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 5V; 70ns; DIP28; parallel Mounting: THT Case: DIP28 Operating voltage: 5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 8kx8bit Access time: 70ns Kind of interface: parallel Memory: 64kb SRAM |
товару немає в наявності |