DS1225AD-200+ Analog Devices / Maxim Integrated
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2173.51 грн |
| 12+ | 2023.80 грн |
| 24+ | 1593.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1225AD-200+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1225AD-200+ за ціною від 1860.50 грн до 2463.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1225AD-200+ |
Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DS1225AD-200+ |
Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 64Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 83 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DS1225AD-200 |
Виробник : DALLAS |
09+ DIP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
DS1225AD-200+ |
Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 64Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
DS1225AD-200+ |
Виробник : Maxim |
64K Nonvolatile SRAM DS1225 кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
DS1225AD-200 |
Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DS1225AD-200+ |
Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 200ns; DIP28 Memory organisation: 8kx8bit Access time: 200ns Kind of interface: parallel Kind of memory: NV SRAM Operating voltage: 4.5...5.5V Case: DIP28 Memory: 64kb SRAM Mounting: THT Type of integrated circuit: SRAM memory |
товару немає в наявності |