DS1225AD-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1905.96 грн |
| 12+ | 1709.18 грн |
| 36+ | 1690.92 грн |
| 60+ | 1547.70 грн |
| 108+ | 1358.66 грн |
| 252+ | 1312.82 грн |
| 504+ | 1256.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1225AD-200+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DS1225AD-200+ за ціною від 1959.22 грн до 2360.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1225AD-200+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 64Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024) |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| DS1225AD-200 | Виробник : DALLAS |
07+ DIP |
на замовлення 708 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1225AD-200 | Виробник : DALLAS |
08+ DIP |
на замовлення 558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1225AD-200 | Виробник : DALLAS |
09+ |
на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1225AD-200 | Виробник : DALLAS |
09+ DIP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
DS1225AD-200+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 200ns; DIP28 Mounting: THT Case: DIP28 Operating voltage: 4.5...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 8kx8bit Access time: 200ns Kind of interface: parallel Memory: 64kb SRAM кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
| DS1225AD-200+ | Виробник : Maxim |
64K Nonvolatile SRAM DS1225 кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
DS1225AD-200 | Виробник : Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DS1225AD-200+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DS1225AD-200+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 200ns; DIP28 Mounting: THT Case: DIP28 Operating voltage: 4.5...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 8kx8bit Access time: 200ns Kind of interface: parallel Memory: 64kb SRAM |
товару немає в наявності |