
DS1225AD-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 64Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 8K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2104.23 грн |
12+ | 1862.80 грн |
36+ | 1791.08 грн |
60+ | 1649.93 грн |
108+ | 1614.72 грн |
252+ | 1564.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1225AD-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-70IND+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DS1225AD-70IND+ за ціною від 1597.94 грн до 2395.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1225AD-70IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DS1225AD-70IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 64Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DS1225AD-70IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
DS1225AD-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
DS1225AD-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DS1225AD-70IND+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
DS1225AD-70IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |