DS1230AB-100+ Analog Devices / Maxim Integrated
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2541.19 грн |
| 12+ | 2301.23 грн |
| 24+ | 1922.97 грн |
| 60+ | 1887.42 грн |
| 108+ | 1846.98 грн |
| 252+ | 1789.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230AB-100+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DS1230AB-100+ за ціною від 1999.67 грн до 2838.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230AB-100+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DS1230AB-100+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (25-Jun-2025) |
на замовлення 303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DS1230AB-100 | Виробник : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
DS1230AB-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DS1230AB-100+ | Виробник : Maxim |
EMOD 28/C°/256K NONVOLATILE SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
DS1230AB-100 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |