
DS1230AB-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2278.40 грн |
12+ | 2062.53 грн |
36+ | 1990.92 грн |
60+ | 1809.34 грн |
108+ | 1592.73 грн |
252+ | 1549.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230AB-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DS1230AB-100+ за ціною від 2224.67 грн до 2998.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1230AB-100+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024) |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
DS1230AB-100 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
DS1230AB-100 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
DS1230AB-100 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
DS1230AB-100+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
DS1230AB-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
DS1230AB-100+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
DS1230AB-100 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
DS1230AB-100+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товару немає в наявності |