DS1230AB-100+ Analog Devices / Maxim Integrated
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2563.13 грн |
| 12+ | 2321.10 грн |
| 24+ | 1939.58 грн |
| 60+ | 1903.71 грн |
| 108+ | 1862.92 грн |
| 252+ | 1805.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230AB-100+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1230AB-100+ за ціною від 2090.08 грн до 2932.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230AB-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 3523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DS1230AB-100+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DS1230AB-100 | DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1230AB-100+ |
|
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2829.20 грн |
| 12+ | 2501.76 грн |
| 36+ | 2404.66 грн |
| 60+ | 2214.87 грн |
| 108+ | 2167.35 грн |
| 252+ | 2126.11 грн |
| DS1230AB-100+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2932.34 грн |
| 12+ | 2693.59 грн |
| 36+ | 2587.75 грн |
| 108+ | 2308.44 грн |
| 252+ | 2090.08 грн |
| DS1230AB-100 |
|
Виробник: DALLAS
DIP-28 08+09+
DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.