DS1230AB-100+

DS1230AB-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated


DS1230AB-DS1230Y.pdf Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 717 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2278.40 грн
12+2062.53 грн
36+1990.92 грн
60+1809.34 грн
108+1592.73 грн
252+1549.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1230AB-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DS1230AB-100+ за ціною від 2224.67 грн до 2998.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DS1230AB-100+ DS1230AB-100+ Виробник : ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024)
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2998.26 грн
12+2649.16 грн
36+2515.47 грн
108+2224.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-100 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf 06+ DIP
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-100 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-100 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-100+ Виробник : Maxim ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-100+ DS1230AB-100+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-100+ Виробник : Maxim DS1230AB-DS1230Y.pdf EMOD 28/C°/256K NONVOLATILE SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-100 DS1230AB-100 Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-100+ DS1230AB-100+ Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB_DS1230Y-3122263.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.