DS1230AB-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 120 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2522.89 грн |
| 12+ | 2230.97 грн |
| 36+ | 2144.48 грн |
| 60+ | 1975.29 грн |
| 108+ | 1932.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230AB-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 120ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 28Pin(s), Speichergröße: 256Kbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.
Інші пропозиції DS1230AB-120+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230AB-120+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 120ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
DS1230AB-120+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1230AB120 | DALLAS |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| DS1230AB-120 | DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1230AB-120+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DS1230AB-120+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DS1230AB120 |
Виробник: DALLAS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| DS1230AB-120 |
|
Виробник: DALLAS
DIP-28 08+09+
DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)