DS1230AB-120IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2632.26 грн |
| 12+ | 2328.90 грн |
| 36+ | 2238.69 грн |
| 60+ | 2062.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230AB-120IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: eDIP, Speicherdichte: 256Kbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 120ns, Zugriffszeit für Lesen: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції DS1230AB-120IND+ за ціною від 1995.31 грн до 3010.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230AB-120IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DS1230AB-120IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28 tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES IC-Montage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: eDIP Speicherdichte: 256Kbit MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.25V Schnittstellen: Parallel Zugriffszeit für Schreiben: 120ns Zugriffszeit für Lesen: 120ns Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DS1230AB-120IND | Виробник : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
DS1230AB-120IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DS1230AB-120IND+ | Виробник : Maxim |
MOD/E/256K NONVOLATILE SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
DS1230AB-120IND | Виробник : Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP |
товару немає в наявності |