DS1230AB-200

DS1230AB-200 Analog Devices Inc./Maxim Integrated


DS1230AB-DS1230Y.pdf Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3633 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+1160.42 грн
Мінімальне замовлення: 18
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1230AB-200 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 28-EDIP, Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 200ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 200 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції DS1230AB-200 за ціною від 1426.01 грн до 2095.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DS1230AB-200+ DS1230AB-200+ Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2095.76 грн
12+ 1897.71 грн
36+ 1831.84 грн
60+ 1664.74 грн
108+ 1465.44 грн
252+ 1426.01 грн
DS1230AB-200 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DS1230AB-200 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf O3-1
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DS1230AB200 Виробник : DS
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DS1230AB-200+ Виробник : Maxim ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP
товар відсутній
DS1230AB-200+ DS1230AB-200+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товар відсутній
DS1230AB-200+ Виробник : Maxim DS1230AB-DS1230Y.pdf 256k Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
товар відсутній
DS1230AB-200 DS1230AB-200 Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
DS1230AB-200 DS1230AB-200 Виробник : Maxim Integrated ds1230ab-ds1230y-1177817.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товар відсутній
DS1230AB-200+ DS1230AB-200+ Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB_DS1230Y-3122263.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товар відсутній