Продукція > ANALOG DEVICES INC./MAXIM INTEGRATED > DS1230AB-200IND
DS1230AB-200IND

DS1230AB-200IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+1171.67 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1230AB-200IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 28-EDIP, Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 200ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 200 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

Інші пропозиції DS1230AB-200IND

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DS1230AB-200IND+ Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf 09+
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-200IND Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-200IND DS1230AB-200IND Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 200 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-200IND+ DS1230AB-200IND+ Виробник : Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230AB-200IND+ DS1230AB-200IND+ Виробник : Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y-1513026.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.