
DS1230W-100IND+ Analog Devices, Inc.
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 2654.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230W-100IND+ Analog Devices, Inc.
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 28-EDIP, Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1230W-100IND+
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1230W-100IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
DS1230W-100IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
DS1230W-100IND+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товару немає в наявності |
||
|
DS1230W-100IND | Виробник : Maxim Integrated |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DS1230W-100IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DS1230W-100IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товару немає в наявності |