DS1230Y-150
Код товару: 49317
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DS1230Y-150 за ціною від 2227.56 грн до 3174.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-150+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Verified |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DS1230Y-150+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-150+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 150 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DS1230Y-150+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-150+ |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DS1230Y-150 | DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DS1230Y-150+ | Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1230Y-150+ |
|
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Verified
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 150ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 150 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Verified
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3002.01 грн |
| 12+ | 2653.88 грн |
| 36+ | 2550.69 грн |
| 60+ | 2349.34 грн |
| 108+ | 2298.89 грн |
| 252+ | 2227.56 грн |
| DS1230Y-150+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-150+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-150+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 150 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 150ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3174.16 грн |
| 12+ | 2914.05 грн |
| 36+ | 2800.25 грн |
| 108+ | 2551.17 грн |
| DS1230Y-150+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DS1230Y-150 |
|
Виробник: DALLAS
DIP-28 08+09+
DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)