DS1230Y-150
Код товару: 49317
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DS1230Y-150 за ціною від 2208.30 грн до 3896.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DS1230Y-150+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Verified |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DS1230Y-150+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DS1230Y-150+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-150+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 150 ns, EDIPtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 150ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DS1230Y-150+ |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DS1230Y-150 | Виробник : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| DS1230Y-150+ | Виробник : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230кількість в упаковці: 12 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
DS1230Y-150+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DS1230Y-150+ | Виробник : Maxim Integrated |
Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
DS1230Y-150 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 150ns Memory Interface: Parallel Access Time: 150 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
DS1230Y-150 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM |
товару немає в наявності |



