Продукція > Мікросхеми > Інші мікросхеми > DS1230Y-200+

DS1230Y-200+

DS1230AB-DS1230Y.pdf
Код товару: 211347
Виробник:
Мікросхеми > Інші мікросхеми

товару немає в наявності
очікується 1 шт:
1 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DS1230Y-200+ за ціною від 2170.17 грн до 3308.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DS1230Y-200+ DS1230Y-200+ Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB_DS1230Y-3122264.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3032.76 грн
12+2869.58 грн
24+2203.93 грн
60+2170.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+ DS1230Y-200+ Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3181.13 грн
12+2692.78 грн
36+2543.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+ DS1230Y-200+ Виробник : ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-200+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 200 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 200ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3308.82 грн
12+2907.06 грн
36+2745.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+ Виробник : Maxim ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+ DS1230Y-200+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200+ Виробник : Maxim DS1230AB-DS1230Y.pdf 256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200 DS1230Y-200 Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200 DS1230Y-200 Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated ds1230ab_ds1230y-3110439.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.