Продукція > ANALOG DEVICES INC./MAXIM INTEGRATED > DS1230Y-200IND
DS1230Y-200IND

DS1230Y-200IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1230AB-DS1230Y.pdf Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+1402.99 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1230Y-200IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-200IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DS1230Y-200IND за ціною від 1963.50 грн до 2471.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DS1230Y-200IND+ DS1230Y-200IND+ Виробник : ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-200IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 200 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 200ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2412.26 грн
12+2269.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND+ DS1230Y-200IND+ Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2471.39 грн
12+2238.23 грн
36+2160.57 грн
60+1963.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND+ Виробник : Maxim ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND+ DS1230Y-200IND+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND+ Виробник : Maxim DS1230AB-DS1230Y.pdf MOD 28/I°/256K NONVOLATILE SRAM DS1230MOD
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND DS1230Y-200IND Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND DS1230Y-200IND Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated ds1230ab_ds1230y-3110439.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-200IND+ DS1230Y-200IND+ Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB_DS1230Y-3467948.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.