Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції DS1230Y-70IND за ціною від 1926.28 грн до 3873.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
 NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DS1230Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DS1230Y-70IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DS1230Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| DS1230Y-70IND | Виробник : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
DS1230Y-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DS1230Y-70IND+ | Виробник : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DS1230Y-70IND | Виробник : Maxim Integrated |
Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
DS1230Y-70IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 32K x 8 Access Time: 70 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 28-EDIP Memory Format: NVSRAM Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Non-Volatile Memory Size: 256Kbit Mounting Type: Through Hole Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DS1230Y-70IND | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |