DS1230Y-85+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 85ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 85 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2175.64 грн |
| 12+ | 1970.26 грн |
| 36+ | 1901.83 грн |
| 60+ | 1728.37 грн |
| 108+ | 1521.45 грн |
| 252+ | 1480.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-85+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-85+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 85 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 85ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1230Y-85+ за ціною від 2348.13 грн до 2348.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-85+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-85+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 85 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 85ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
DS1230Y-85+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
товар відсутній |
|||||
 |
DS1230Y-85+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
DS1230Y-85 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||
 |
DS1230Y-85+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |
|||||
|
|
DS1230Y-85 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |