DS1230Y-85+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 32K x 8
Access Time: 85 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 85ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 28-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 256Kbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2562.58 грн |
| 12+ | 2266.66 грн |
| 36+ | 2178.90 грн |
| 60+ | 2007.00 грн |
| 108+ | 1964.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-85+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-85+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 85 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 85ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1230Y-85+ за ціною від 1873.47 грн до 3839.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-85+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DS1230Y-85+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-85+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 85 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 85ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|