Продукція > ANALOG DEVICES INC./MAXIM INTEGRATED > DS1245AB-100
DS1245AB-100

DS1245AB-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1245AB-DS1245Y.pdf
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1760.17 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1245AB-100 Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 32Pin(s), Speichergröße: 1Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.

Інші пропозиції DS1245AB-100 за ціною від 2472.94 грн до 3821.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DS1245AB-100+ DS1245AB-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated ds1245ab-ds1245y.pdf Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+2472.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-100+ DS1245AB-100+ ANALOG DEVICES ds1245ab-ds1245y.pdf Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3821.96 грн
11+3517.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-100+ DS1245AB-100+ Analog Devices / Maxim Integrated ds1245ab-ds1245y.pdf NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-100 DALLAS DS1245AB-DS1245Y.pdf DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-100+ ds1245ab-ds1245y.pdf
DS1245AB-100+
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 100 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+2472.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-100+ ds1245ab-ds1245y.pdf
DS1245AB-100+
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-100+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 100 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3821.96 грн
11+3517.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-100+ ds1245ab-ds1245y.pdf
DS1245AB-100+
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-100 DS1245AB-DS1245Y.pdf
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.