DS1245AB-120IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3457.40 грн |
| 11+ | 3160.46 грн |
| 22+ | 2482.73 грн |
| 110+ | 2413.58 грн |
| 253+ | 2412.93 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245AB-120IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-120IND+ - NVRAM, NVSRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, Parallel, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423290, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, hazardous: false, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 120, usEccn: TBC, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: -40, Versorgungsspannung, min.: 4.75, euEccn: TBC, Speichergröße: 1, Anzahl der Pins: 32, Produktpalette: -, Versorgungsspannung, max.: 5.25, Betriebstemperatur, max.: 85, Speicher: NVSRAM, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції DS1245AB-120IND+ за ціною від 4588.27 грн до 4588.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1245AB-120IND+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
 Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIPPackaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| DS1245AB-120IND | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1245AB-120IND+ |
|
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 4588.27 грн |
| DS1245AB-120IND |
|
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)