Технічний опис DS1245AB-120IND+ Analog Devices / Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 1Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 120ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 120 ns, Memory Organization: 128K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1245AB-120IND+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1245AB-120IND+ |
|
на замовлення 2080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| DS1245AB-120IND | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1245AB-120IND |
![]() |
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



