Продукція > ANALOG DEVICES INC./MAXIM INTEGRATED > DS1245AB-70IND
DS1245AB-70IND

DS1245AB-70IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1245AB-DS1245Y.pdf
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 70 ns
Memory Organization: 128K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1967.17 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1245AB-70IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-70IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 1MB, 128K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-32, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: eDIP, Speicherdichte: 1Mbit, MSL: -, usEccn: 3A991.b.2.a, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 70ns, Zugriffszeit für Lesen: 70ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції DS1245AB-70IND за ціною від 2647.89 грн до 4263.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DS1245AB-70IND+ DS1245AB-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated ds1245ab-ds1245y.pdf Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 70 ns
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+2647.89 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-70IND+ DS1245AB-70IND+ ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-70IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 1MB, 128K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eDIP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 70ns
Zugriffszeit für Lesen: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4263.94 грн
11+4196.44 грн
33+4128.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-70IND+ DS1245AB-70IND+ Analog Devices / Maxim Integrated ds1245ab-ds1245y.pdf NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-70IND DALLAS DS1245AB-DS1245Y.pdf DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-70IND+ ds1245ab-ds1245y.pdf
DS1245AB-70IND+
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 70 ns
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+2647.89 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-70IND+ datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal
DS1245AB-70IND+
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245AB-70IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM) 1MB, 128K x 8 Bit, 70ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-32
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: eDIP
Speicherdichte: 1Mbit
MSL: -
usEccn: 3A991.b.2.a
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 70ns
Zugriffszeit für Lesen: 70ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+4263.94 грн
11+4196.44 грн
33+4128.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-70IND+ ds1245ab-ds1245y.pdf
DS1245AB-70IND+
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1245AB-70IND DS1245AB-DS1245Y.pdf
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.