DS1245Y-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 70 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 70ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3609.52 грн |
| 11+ | 3199.53 грн |
| 33+ | 3074.94 грн |
| 55+ | 2832.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245Y-70IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 32Pin(s), Speichergröße: 1Mbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: 3A991.b.2.a, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM.
Інші пропозиції DS1245Y-70IND+ за ціною від 3212.42 грн до 4091.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1245Y-70IND+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 32Pin(s) Speichergröße: 1Mbit Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM |
на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DS1245Y-70IND+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| DS1245Y70IND | DALLAS |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1245Y70IND+ | DALLAS |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1245Y-70IND | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| DS1245Y-70IND+ | Maxim |
1024K Nonvolatile SRAM DS1245 кількість в упаковці: 11 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1245Y-70IND+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-70IND+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 70 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 70ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Speichergröße: 1Mbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicher: SRAM
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4091.97 грн |
| 11+ | 3764.90 грн |
| 33+ | 3617.84 грн |
| 110+ | 3212.42 грн |
| DS1245Y-70IND+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DS1245Y70IND |
Виробник: DALLAS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| DS1245Y70IND+ |
Виробник: DALLAS
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| DS1245Y-70IND |
|
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)