DS1245Y-85+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP
Memory Organization: 128K x 8
Access Time: 85 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 85ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 32-EDIP
Memory Format: NVSRAM
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
DigiKey Programmable: Not Verified
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Non-Volatile
Memory Size: 1Mbit
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3727.82 грн |
| 11+ | 3304.65 грн |
| 33+ | 3176.00 грн |
| 55+ | 2925.22 грн |
| 110+ | 2851.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1245Y-85+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-85+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 85 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: 3A991.b.2.a, Zugriffszeit: 85ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 1Mbit, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026).
Інші пропозиції DS1245Y-85+ за ціною від 3758.59 грн до 5001.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1245Y-85+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1245Y-85+ - NVRAM, SRAM, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, 85 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: 3A991.b.2.a Zugriffszeit: 85ns Speicherkonfiguration NVRAM: 128K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 1Mbit Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| DS1245Y-85 | Виробник : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1245Y-85+ | Виробник : Maxim |
MOD/C°/1024k Nonvolatile SRAM DS1245 кількість в упаковці: 11 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
DS1245Y-85 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 1Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 128K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DS1245Y-85 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024K SRAM Nonvolatile |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DS1245Y-85+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 1024k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |