Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1250AB-100+ Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1250AB-100+
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1250AB-100 | DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| DS1250AB-100+ | Maxim Integrated |
NVRAM 4096K NV SRAM |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1250AB-100 |
![]() |
Виробник: DALLAS
DIP-32 08+09+
DIP-32 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| DS1250AB-100+ |
![]() |
Виробник: Maxim Integrated
NVRAM 4096K NV SRAM
NVRAM 4096K NV SRAM
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


