DS1250Y-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 7690.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1250Y-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 4Mbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 32-EDIP, Write Cycle Time - Word, Page: 100ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 100 ns, Memory Organization: 512K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1250Y-100IND+ за ціною від 7690.63 грн до 7690.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DS1250Y-100IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| DS1250Y-100IND | Виробник : DALLAS |
2010+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| DS1250Y-100IND | Виробник : DALLAS |
DIP |
на замовлення 282 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| DS1250Y-100IND | Виробник : DALLAS |
DIP-32 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| DS1250Y-100IND+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
||||||
| DS1250Y-100IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
||||||
| DS1250Y-100IND+ | Виробник : Maxim |
MOD/E/RAM NV 4MEG 10% VTP 100NS IND PBFRE DS1250MOD кількість в упаковці: 11 шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
DS1250Y-100IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32EDIP Packaging: Tube Package / Case: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 4Mbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 32-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 512K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||
 |
DS1250Y-100IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 4096k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |