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Технічний опис DS75-12B IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DS75-12B - Diodenmodul, Bolzen, 1.2 kV, 110 A, 1.17 V, Einfach, DO-203AB, 2 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-203AB, Durchlassstoßstrom: 1.5, Diodenmontage: Bolzen, hazardous: false, Durchlassspannung, max.: 1.17, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: DS75, Konfiguration Diodenmodul: Einfach, Betriebstemperatur, max.: 180, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції DS75-12B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DS75-12B | IXYS |
 Description: DIODE GP 1.2KV 110A DO203ABVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.17 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C Supplier Device Package: DO-203AB Current - Average Rectified (Io): 110A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Box Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 1200 V |
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DS75-12B | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DS75-12B - Diodenmodul, Bolzen, 1.2 kV, 110 A, 1.17 V, Einfach, DO-203AB, 2 Pin(s) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-203AB Durchlassstoßstrom: 1.5 Diodenmontage: Bolzen hazardous: false Durchlassspannung, max.: 1.17 usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: DS75 Konfiguration Diodenmodul: Einfach Betriebstemperatur, max.: 180 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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| DS75-12B |
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Виробник: IXYS
Description: DIODE GP 1.2KV 110A DO203AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.17 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-203AB
Current - Average Rectified (Io): 110A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Box
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 1200 V
Description: DIODE GP 1.2KV 110A DO203AB
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.17 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-203AB
Current - Average Rectified (Io): 110A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
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Current - Reverse Leakage @ Vr: 6 mA @ 1200 V
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| DS75-12B |
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Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DS75-12B - Diodenmodul, Bolzen, 1.2 kV, 110 A, 1.17 V, Einfach, DO-203AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-203AB
Durchlassstoßstrom: 1.5
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.17
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: DS75
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 180
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DS75-12B - Diodenmodul, Bolzen, 1.2 kV, 110 A, 1.17 V, Einfach, DO-203AB, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-203AB
Durchlassstoßstrom: 1.5
Diodenmontage: Bolzen
hazardous: false
Durchlassspannung, max.: 1.17
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 110
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: DS75
Konfiguration Diodenmodul: Einfach
Betriebstemperatur, max.: 180
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
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