
DSA1-18D IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DSA1-18D - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.8 kV, 7 A, Einfach, 1.34 V, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Durchsteckmontage
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.34V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 7A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.8kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 390.24 грн |
10+ | 268.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSA1-18D IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DSA1-18D - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.8 kV, 7 A, Einfach, 1.34 V, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: Durchsteckmontage, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.34V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 7A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.8kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції DSA1-18D
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
DSA1-18D Код товару: 116694
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||
![]() |
DSA1-18D | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DSA1-18D | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DSA1-18D | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 2.3A; tube; Ifsm: 110A; FP-Case Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 2.3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Case: FP-Case Max. forward voltage: 1.34V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DSA1-18D | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2.3A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 7 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 1800 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DSA1-18D | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DSA1-18D | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.8kV; 2.3A; tube; Ifsm: 110A; FP-Case Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.8kV Load current: 2.3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Kind of package: tube Max. forward impulse current: 110A Case: FP-Case Max. forward voltage: 1.34V |
товару немає в наявності |