Продукція > DIODES INCORPORATED > DSC04A065D1-13
DSC04A065D1-13

DSC04A065D1-13 Diodes Incorporated

DSC04A065D1.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.76 грн
5000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSC04A065D1-13 Diodes Incorporated

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-252 (Type WX), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V.

Інші пропозиції DSC04A065D1-13 за ціною від 36.56 грн до 127.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSC04A065D1-13 DSC04A065D1-13 Виробник : Diodes Incorporated DSC04A065D1-3103710.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Rectifier TO252 T&R 2.5K
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.65 грн
100+105.21 грн
500+77.15 грн
1000+66.02 грн
2500+61.65 грн
5000+59.33 грн
10000+58.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSC04A065D1-13 DSC04A065D1-13 Виробник : Diodes Incorporated DSC04A065D1.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 12443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.51 грн
10+78.26 грн
100+52.74 грн
500+39.25 грн
1000+36.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.