DSC04A065D1-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.57 грн |
| 5000+ | 35.51 грн |
| 7500+ | 34.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSC04A065D1-13 Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-252 (Type WX), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V.
Інші пропозиції DSC04A065D1-13 за ціною від 34.81 грн до 140.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DSC04A065D1-13 | Diodes Incorporated |
SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DSC04A065D1-13 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-252 (Type WX) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V |
на замовлення 12423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DSC04A065D1-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.02 грн |
| 10+ | 86.54 грн |
| 100+ | 50.35 грн |
| 500+ | 39.94 грн |
| 1000+ | 36.50 грн |
| 2500+ | 34.81 грн |
| DSC04A065D1-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 12423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.83 грн |
| 10+ | 86.39 грн |
| 100+ | 58.22 грн |
| 500+ | 43.33 грн |
| 1000+ | 39.69 грн |