DSC04C065LP-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 163pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSC04C065LP-13 Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-PowerTSFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 163pF @ 100mV, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: DFN8080, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V.
Інші пропозиції DSC04C065LP-13 за ціною від 64.14 грн до 211.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DSC04C065LP-13 | Diodes Incorporated |
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 163pF @ 100mV, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DFN8080 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DSC04C065LP-13 | Diodes Incorporated |
 SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DSC04C065LP-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 163pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
Description: SIC SBD 650V~1000V T-DFN8080-5 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 163pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DFN8080
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 200.96 грн |
| 10+ | 125.86 грн |
| 100+ | 86.97 грн |
| 500+ | 68.09 грн |
| DSC04C065LP-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.68 грн |
| 10+ | 135.87 грн |
| 100+ | 81.58 грн |
| 500+ | 68.36 грн |
| 1000+ | 66.53 грн |
| 2500+ | 64.14 грн |