DSC06A065D1-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 278pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 51.07 грн |
| 5000+ | 46.02 грн |
| 7500+ | 44.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSC06A065D1-13 Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 278pF @ 100mV, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-252 (Type WX), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.
Інші пропозиції DSC06A065D1-13 за ціною від 46.77 грн до 174.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DSC06A065D1-13 | Diodes Incorporated |
SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K |
на замовлення 1614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DSC06A065D1-13 | Diodes Incorporated |
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 278pF @ 100mV, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: TO-252 (Type WX) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V |
на замовлення 9581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DSC06A065D1-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 1614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.02 грн |
| 10+ | 107.56 грн |
| 100+ | 64.14 грн |
| 500+ | 51.06 грн |
| 1000+ | 48.59 грн |
| 2500+ | 46.77 грн |
| DSC06A065D1-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 278pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 278pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 9581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 174.85 грн |
| 10+ | 108.03 грн |
| 100+ | 73.69 грн |
| 500+ | 55.37 грн |
| 1000+ | 50.94 грн |