Продукція > DIODES INCORPORATED > DSC06C065D1-13
DSC06C065D1-13

DSC06C065D1-13 Diodes Incorporated

DSC06C065-3240575.pdf Виробник: Diodes Incorporated
SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V-1000V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.44 грн
10+82.63 грн
100+50.20 грн
500+40.81 грн
1000+37.65 грн
2500+37.50 грн
5000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSC06C065D1-13 Diodes Incorporated

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-252 (Type WX), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V.

Інші пропозиції DSC06C065D1-13 за ціною від 38.64 грн до 137.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSC06C065D1-13 DSC06C065D1-13 Виробник : Diodes Incorporated DSC06C065D1.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.34 грн
10+84.63 грн
100+57.05 грн
500+42.30 грн
1000+38.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DSC06C065D1-13 DSC06C065D1-13 Виробник : Diodes Incorporated DSC06C065D1.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 184pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.