DSC08065D1

DSC08065D1 Diodes Incorporated


DSC08065D1.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSC08065D1 Diodes Incorporated

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 295pF @ 100mV, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252 (Type WX), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V.

Інші пропозиції DSC08065D1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSC08065D1 Виробник : Diodes Incorporated DSC08065D1-3103816.pdf SiC Schottky Diodes Silicon Carbide Rectifier TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.