Продукція > DIODES INCORPORATED > DSC08C065D1-13
DSC08C065D1-13

DSC08C065D1-13 Diodes Incorporated

DSC08C065-3240665.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide Rectifier TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+166.39 грн
10+136.24 грн
100+94.33 грн
500+79.99 грн
1000+67.84 грн
2500+64.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSC08C065D1-13 Diodes Incorporated

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 278pF @ 100mV, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252 (Type WX), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V.

Інші пропозиції DSC08C065D1-13 за ціною від 54.35 грн до 174.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSC08C065D1-13 DSC08C065D1-13 Виробник : Diodes Incorporated DSC08C065D1.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 278pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.68 грн
10+107.77 грн
100+72.63 грн
500+54.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DSC08C065D1-13 DSC08C065D1-13 Виробник : Diodes Incorporated DSC08C065D1.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 278pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.