Продукція > DIODES INCORPORATED > DSC10A065D1-13
DSC10A065D1-13

DSC10A065D1-13 Diodes Incorporated

DSC10A065D1.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 434pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.76 грн
5000+65.01 грн
7500+64.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSC10A065D1-13 Diodes Incorporated

Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 434pF @ 100mV, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-252 (Type WX), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V.

Інші пропозиції DSC10A065D1-13 за ціною від 69.55 грн до 231.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSC10A065D1-13 DSC10A065D1-13 Diodes Incorporated DSC10A065D1.pdf SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.63 грн
10+144.77 грн
100+87.91 грн
500+74.55 грн
1000+73.84 грн
2500+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC10A065D1-13 DSC10A065D1-13 Diodes Incorporated DSC10A065D1.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 434pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 8894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.81 грн
10+145.44 грн
100+100.88 грн
500+76.80 грн
1000+74.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC10A065D1-13 DSC10A065D1.pdf
DSC10A065D1-13
Виробник: Diodes Incorporated
SiC Schottky Diodes SiC SBD 650V 1000V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.63 грн
10+144.77 грн
100+87.91 грн
500+74.55 грн
1000+73.84 грн
2500+69.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSC10A065D1-13 DSC10A065D1.pdf
DSC10A065D1-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 434pF @ 100mV, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-252 (Type WX)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 8894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.81 грн
10+145.44 грн
100+100.88 грн
500+76.80 грн
1000+74.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.