DSE010-TR-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Bulk
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSE010-TR-E onsemi
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції DSE010-TR-E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DSE010-TR-E | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - DSE010-TR-E - DIODE GEN PURP 80V 100MAtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DSE010-TR-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DSE010-TR-E - DIODE GEN PURP 80V 100MA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DSE010-TR-E - DIODE GEN PURP 80V 100MA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)