DSE010-TR-E onsemi
Виробник: onsemi
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Bulk
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA
Packaging: Bulk
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 100mA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5323+ | 4.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSE010-TR-E onsemi
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA, Packaging: Tape & Reel (TR), Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Reverse Recovery Time (trr): 4 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 100mA, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V.
Інші пропозиції DSE010-TR-E за ціною від 9.30 грн до 9.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DSE010-TR-E | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - DSE010-TR-E - DIODE GEN PURP 80V 100MAtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| DSE010-TR-E | Виробник : ON Semiconductor |
Silicon Epitaxial Planar Type Ultrahigh-Speed Switching Diodes |
товару немає в наявності |
||||||
|
|
DSE010-TR-E | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 80V 100MA Packaging: Tape & Reel (TR) Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 3pF @ 0.5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 100mA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 80 V |
товару немає в наявності |