DSEE55-24N1F IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - DSEE55-24N1F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 60 A, Zweifach in Reihe, 2.45 V, 85 ns, 800 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: i4-Pac
Durchlassstoßstrom: 800A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.45V
Sperrverzögerungszeit: 85ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: HiPerFRED Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2436.13 грн |
| 5+ | 2226.62 грн |
| 10+ | 2017.10 грн |
| 50+ | 1851.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSEE55-24N1F IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DSEE55-24N1F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 60 A, Zweifach in Reihe, 2.45 V, 85 ns, 800 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: i4-Pac, Durchlassstoßstrom: 800A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach in Reihe, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.45V, Sperrverzögerungszeit: 85ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: HiPerFRED Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції DSEE55-24N1F за ціною від 2691.30 грн до 2814.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DSEE55-24N1F | Виробник : IXYS |
Rectifiers 55 Amps 1200V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
DSEE55-24N1F | Виробник : Littelfuse |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 60A 85ns 3-Pin ISOPLUS I4-PAC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
DSEE55-24N1F | Виробник : IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 800A; Ufmax: 1.56V Max. forward voltage: 1.56V Load current: 60A Power dissipation: 250W Max. forward impulse current: 0.8kA Technology: HiPerFRED™ Max. off-state voltage: 1.2kV Case: ISOPLUS i4-pac™ x024b Semiconductor structure: double series Features of semiconductor devices: fast switching Type of diode: rectifying Kind of package: tube Mounting: THT Reverse recovery time: 85ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
DSEE55-24N1F | Виробник : IXYS |
Description: DIODE ARRAY GP 1200V 60A I4PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-3 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 220 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Series Connection Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 60A Supplier Device Package: i4-PAC™ Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
DSEE55-24N1F | Виробник : IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 800A; Ufmax: 1.56V Max. forward voltage: 1.56V Load current: 60A Power dissipation: 250W Max. forward impulse current: 0.8kA Technology: HiPerFRED™ Max. off-state voltage: 1.2kV Case: ISOPLUS i4-pac™ x024b Semiconductor structure: double series Features of semiconductor devices: fast switching Type of diode: rectifying Kind of package: tube Mounting: THT Reverse recovery time: 85ns |
товару немає в наявності |