DSEI2X61-12B IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - DSEI2X61-12B - Diodenmodul, Epitaxial Diode (FRED), 1.2 kV, 52 A, 2.15 V, Zweifach, getrennt, SOT-227B, 4 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227B
Durchlassstoßstrom: 450A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 2.15V
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 52A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DSEI2
productTraceability: No
Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, getrennt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1915.55 грн |
| 5+ | 1837.64 грн |
| 10+ | 1759.73 грн |
| 50+ | 1601.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSEI2X61-12B IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DSEI2X61-12B - Diodenmodul, Epitaxial Diode (FRED), 1.2 kV, 52 A, 2.15 V, Zweifach, getrennt, SOT-227B, 4 Pin(s), tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOT-227B, Durchlassstoßstrom: 450A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Panelmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 2.15V, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 52A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: DSEI2, productTraceability: No, Konfiguration Diodenmodul: Zweifach, getrennt, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції DSEI2X61-12B за ціною від 1498.36 грн до 3299.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DSEI2X61-12B | Виробник : IXYS |
Description: DIODE MOD GP 1200V 52A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 52A Supplier Device Package: SOT-227B Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2.2 mA @ 1200 V |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DSEI2X61-12B | Виробник : IXYS |
Rectifiers 120 Amps 1200V |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DSEI2X61-12B | Виробник : Ixys Corporation |
Diode Switching 1.2KV 60A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| DSEI2X61-12B | Виробник : IXYS |
DSEI2X61-12B Diode modules |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| DSEI2X6112B | Виробник : IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
 |
DSEI2X61-12B Код товару: 41142
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
||||||||||
|
|
DSEI2X61-12B | Виробник : Littelfuse |
Diode Switching 1.2KV 60A 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DSEI2X61-12B | Виробник : Littelfuse |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 104A 60ns 4-Pin SOT-227B |
товару немає в наявності |