на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 409.41 грн |
| 30+ | 373.95 грн |
| 510+ | 318.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSEP30-12B IXYS
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 600V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.75 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції DSEP30-12B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| DSEP30-12B | Виробник : IXYS |
 DSEP30-12B THT universal diodes |
товару немає в наявності |
||
 |
DSEP30-12B | Виробник : IXYS |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 600V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-247 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.75 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |