DSS2515M-7B DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.02 грн |
| 500+ | 8.31 грн |
| 1000+ | 6.16 грн |
| 5000+ | 5.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSS2515M-7B DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DSS2515M-7B за ціною від 4.88 грн до 33.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DSS2515M-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K |
на замовлення 11553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 250 mW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DSS2515M-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3 Case: X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Collector current: 0.5A Pulsed collector current: 1A Collector-emitter voltage: 15V Quantity in set/package: 10000pcs. Current gain: 90...200 Frequency: 250MHz Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |