Продукція > DIODES INC. > DSS2515M-7B
DSS2515M-7B

DSS2515M-7B DIODES INC.

DIOD-S-A0001069023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.06 грн
500+8.38 грн
1000+6.29 грн
5000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS2515M-7B DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DSS2515M-7B за ціною від 5.34 грн до 45.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSS2515M-7B DSS2515M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.89 грн
48+17.15 грн
100+12.06 грн
500+8.38 грн
1000+6.29 грн
5000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2515M-7B DSS2515M-7B Diodes Incorporated DSS2515M.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.86 грн
12+27.58 грн
100+15.75 грн
500+10.90 грн
1000+8.58 грн
2500+8.16 грн
5000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2515M-7B DIOD-S-A0001069023-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS2515M-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.89 грн
48+17.15 грн
100+12.06 грн
500+8.38 грн
1000+6.29 грн
5000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2515M-7B DSS2515M.pdf
DSS2515M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.86 грн
12+27.58 грн
100+15.75 грн
500+10.90 грн
1000+8.58 грн
2500+8.16 грн
5000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.