DSS2515M-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 6.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSS2515M-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DSS2515M-7B за ціною від 5.06 грн до 34.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DSS2515M-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DSS2515M-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2515M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 8008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K |
на замовлення 13736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 15V 0.5A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 19529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DSS2515M-7B | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 15V 0.5A 250mW 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DSS2515M-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3 Case: X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 15V Current gain: 90...200 Collector current: 0.5A Pulsed collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Quantity in set/package: 10000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DSS2515M-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 15V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3 Case: X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Collector-emitter voltage: 15V Current gain: 90...200 Collector current: 0.5A Pulsed collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Polarisation: bipolar Quantity in set/package: 10000pcs. |
товару немає в наявності |