Технічний опис DSS2540M-7B Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DSS2540M-7B за ціною від 4.16 грн до 31.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DSS2540M-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DSS2540M-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 1040000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DSS2540M-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DSS2540M-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DSS2540M-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 220000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DSS2540M-7B | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 224307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DSS2540M-7B | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K |
на замовлення 32266 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DSS2540M-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DSS2540M-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.60 грн |
| 20000+ | 5.21 грн |
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
на замовлення 1040000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.62 грн |
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.72 грн |
| 20000+ | 5.28 грн |
| 30000+ | 5.23 грн |
| 50000+ | 4.99 грн |
| 70000+ | 4.57 грн |
| 100000+ | 4.35 грн |
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.72 грн |
| 20000+ | 5.28 грн |
| 30000+ | 5.23 грн |
| 50000+ | 4.99 грн |
| 70000+ | 4.57 грн |
| 100000+ | 4.35 грн |
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.73 грн |
| 20000+ | 5.68 грн |
| 30000+ | 5.62 грн |
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 5.92 грн |
| 20000+ | 5.24 грн |
| 30000+ | 5.00 грн |
| 50000+ | 4.45 грн |
| 70000+ | 4.30 грн |
| 100000+ | 4.16 грн |
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 6.29 грн |
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 224307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.56 грн |
| 16+ | 18.83 грн |
| 100+ | 11.94 грн |
| 500+ | 8.38 грн |
| 1000+ | 7.47 грн |
| 2000+ | 6.70 грн |
| 5000+ | 5.77 грн |
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 32266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DSS2540M-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





