DSS2540M-7B Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 4.42 грн |
| 20000+ | 3.90 грн |
| 30000+ | 3.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSS2540M-7B Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DSS2540M-7B за ціною від 4.72 грн до 33.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 1040000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DSS2540M-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 250 mW |
на замовлення 982913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DSS Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 7935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K |
на замовлення 33900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DSS2540M-7B | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DSS2540M-7B | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.5A; 1W; X1-DFN1006-3 Case: X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Power dissipation: 1W Collector current: 0.5A Pulsed collector current: 1A Collector-emitter voltage: 40V Quantity in set/package: 10000pcs. Current gain: 50...200 Frequency: 250...300MHz Polarisation: bipolar |
товару немає в наявності |