Продукція > DIODES ZETEX > DSS2540M-7B
DSS2540M-7B

DSS2540M-7B Diodes Zetex

dss2540m.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.62 грн
20000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS2540M-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DSS2540M-7B за ціною від 4.27 грн до 33.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Zetex dss2540m.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.63 грн
20000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Zetex dss2540m.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.75 грн
20000+5.31 грн
30000+5.25 грн
50000+5.02 грн
70000+4.59 грн
100000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Zetex dss2540m.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.75 грн
20000+5.31 грн
30000+5.25 грн
50000+5.02 грн
70000+4.59 грн
100000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Incorporated DSS2540M.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.09 грн
20000+5.39 грн
30000+5.14 грн
50000+4.57 грн
70000+4.42 грн
100000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Zetex dss2540m.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.65 грн
500+7.43 грн
1000+5.49 грн
5000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.86 грн
45+18.38 грн
100+11.65 грн
500+7.43 грн
1000+5.49 грн
5000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Incorporated DSS2540M.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 224307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.44 грн
16+19.35 грн
100+12.27 грн
500+8.62 грн
1000+7.68 грн
2000+6.89 грн
5000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M-7B Diodes Incorporated DSS2540M.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 32266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.89 грн
16+20.62 грн
100+11.46 грн
500+8.51 грн
1000+6.82 грн
5000+5.98 грн
10000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B dss2540m.pdf
DSS2540M-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.63 грн
20000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B dss2540m.pdf
DSS2540M-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.75 грн
20000+5.31 грн
30000+5.25 грн
50000+5.02 грн
70000+4.59 грн
100000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B dss2540m.pdf
DSS2540M-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.75 грн
20000+5.31 грн
30000+5.25 грн
50000+5.02 грн
70000+4.59 грн
100000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M.pdf
DSS2540M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 220000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.09 грн
20000+5.39 грн
30000+5.14 грн
50000+4.57 грн
70000+4.42 грн
100000+4.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B dss2540m.pdf
DSS2540M-7B
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 40V 0.5A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DIOD-S-A0001069872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS2540M-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.65 грн
500+7.43 грн
1000+5.49 грн
5000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DIOD-S-A0001069872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS2540M-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS2540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.86 грн
45+18.38 грн
100+11.65 грн
500+7.43 грн
1000+5.49 грн
5000+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M.pdf
DSS2540M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 224307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.44 грн
16+19.35 грн
100+12.27 грн
500+8.62 грн
1000+7.68 грн
2000+6.89 грн
5000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DSS2540M-7B DSS2540M.pdf
DSS2540M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 32266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.89 грн
16+20.62 грн
100+11.46 грн
500+8.51 грн
1000+6.82 грн
5000+5.98 грн
10000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.