DSS3515M-7B Diodes Zetex


dss3515m.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 15V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
на замовлення 790000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+6.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS3515M-7B Diodes Zetex

Description: TRANS PNP 15V 0.5A X1-DFN1006-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 340MHz, Supplier Device Package: X1-DFN1006-3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V, Power - Max: 250 mW.

Інші пропозиції DSS3515M-7B за ціною від 13.13 грн до 36.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DSS3515M-7B DSS3515M-7B Diodes Incorporated DSS3515M.pdf Description: TRANS PNP 15V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+22.12 грн
25+18.33 грн
50+15.00 грн
100+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3515M-7B DSS3515M-7B Diodes Incorporated DSS3515M.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 11427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3515M-7B DSS3515M.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 15V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.84 грн
14+22.12 грн
25+18.33 грн
50+15.00 грн
100+13.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3515M-7B DSS3515M.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 11427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.