DSS3515MQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 400 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 340MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 400 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSS3515MQ-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DSS3515MQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 340MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DSS3515MQ-7 за ціною від 1.98 грн до 21.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DSS3515MQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS3515MQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1W euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 500mA SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DSS3515MQ-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DSS3515MQ-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 90hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 90hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: X1-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 340MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DSS3515MQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-UFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 340MHz Supplier Device Package: X1-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 400 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DSS3515MQ-7 | Виробник : Diodes Inc | DSS3515MQ-7 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DSS3515MQ-7 | Виробник : Diodes Zetex | 15V PNP Low VCE Sat Transistor |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DSS3515MQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 500mA; X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Application: automotive industry Case: X1-DFN1006-3 Frequency: 340MHz Collector-emitter voltage: 15V Current gain: 90...200 Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
DSS3515MQ-7 | Виробник : Diodes Zetex | 15V PNP Low VCE Sat Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||
DSS3515MQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist |
товар відсутній |
||||||||||||||
DSS3515MQ-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 15V; 500mA; X1-DFN1006-3 Mounting: SMD Application: automotive industry Case: X1-DFN1006-3 Frequency: 340MHz Collector-emitter voltage: 15V Current gain: 90...200 Collector current: 0.5A Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |