Продукція > DIODES ZETEX > DSS3540M-7B
DSS3540M-7B

DSS3540M-7B Diodes Zetex

dss3540m.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 40V 0.5A 1000mW 3-Pin DFN T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS3540M-7B Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: X1-DFN1006, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DSS3540M-7B за ціною від 5.01 грн до 27.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DSS3540M-7B DSS3540M-7B Diodes Incorporated DSS3540M.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.71 грн
18+16.53 грн
100+10.44 грн
500+7.31 грн
1000+6.51 грн
2000+5.83 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M-7B Diodes Incorporated DSS3540M.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M-7B DIODES INC. DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M.pdf
DSS3540M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.5A X1-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
на замовлення 9999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+27.71 грн
18+16.53 грн
100+10.44 грн
500+7.31 грн
1000+6.51 грн
2000+5.83 грн
5000+5.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DSS3540M.pdf
DSS3540M-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS3540M-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS3540M-7B DIOD-S-A0001069654-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS3540M-7B
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS3540M-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 500 mA, 1 W, X1-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: X1-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.