DSS4160FDBQ-7

DSS4160FDBQ-7 Diodes Incorporated


DSS4160FDBQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 60V 1A U-DFN2020-6
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 405mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2883 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.76 грн
10+40.22 грн
100+26.23 грн
500+18.96 грн
1000+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS4160FDBQ-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS 2NPN 60V 1A U-DFN2020-6, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 405mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 290 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 175MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DSS4160FDBQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSS4160FDBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS4160FDBQ.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.