DSS45160FDB-7 Diodes Incorporated


DSS45160FDB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 405mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 65MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.56 грн
6000+12.89 грн
9000+12.32 грн
15000+10.95 грн
21000+10.59 грн
30000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS45160FDB-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN/PNP 60V U-DFN2020-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 405mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 175MHz, 65MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Part Status: Active.

Інші пропозиції DSS45160FDB-7 за ціною від 15.26 грн до 80.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSS45160FDB-7 DSS45160FDB-7 Diodes Incorporated DSS45160FDB.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 405mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 65MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.92 грн
10+36.19 грн
100+23.50 грн
500+16.91 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS45160FDB-7 DSS45160FDB-7 Diodes Incorporated DSS45160FDB.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.41 грн
10+49.41 грн
100+28.20 грн
500+21.80 грн
1000+19.69 грн
3000+16.88 грн
6000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS45160FDB-7 DSS45160FDB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 405mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 175MHz, 65MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.92 грн
10+36.19 грн
100+23.50 грн
500+16.91 грн
1000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS45160FDB-7 DSS45160FDB.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.41 грн
10+49.41 грн
100+28.20 грн
500+21.80 грн
1000+19.69 грн
3000+16.88 грн
6000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.