на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSS5160FDB-7 Diodes Zetex
Description: TRANS 2PNP 60V 1A U-DFN2020-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 405mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).
Інші пропозиції DSS5160FDB-7 за ціною від 12.15 грн до 68.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DSS5160FDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS 2PNP 60V 1A U-DFN2020-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 405mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DSS5160FDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor |
на замовлення 2156 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DSS5160FDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2PNP 60V 1A U-DFN2020-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 405mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) |
на замовлення 11888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DSS5160FDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
DSS5160FDB-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DSS5160FDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 1A; 2.47W; U-DFN2020-6 Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 70...170 Collector current: 1A Pulsed collector current: 1.5A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 2.47W Polarisation: bipolar Quantity in set/package: 3000pcs. Frequency: 65MHz Collector-emitter voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DSS5160FDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 1A; 2.47W; U-DFN2020-6 Case: U-DFN2020-6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Current gain: 70...170 Collector current: 1A Pulsed collector current: 1.5A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 2.47W Polarisation: bipolar Quantity in set/package: 3000pcs. Frequency: 65MHz Collector-emitter voltage: 60V |
товару немає в наявності |