DSS5160FDB-7

DSS5160FDB-7 Diodes Zetex


dss5160fdb.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS5160FDB-7 Diodes Zetex

Description: TRANS 2PNP 60V 1A U-DFN2020-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 405mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).

Інші пропозиції DSS5160FDB-7 за ціною від 14.22 грн до 70.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSS5160FDB-7 DSS5160FDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS5160FDB.pdf Description: TRANS 2PNP 60V 1A U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 405mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.81 грн
6000+14.88 грн
9000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5160FDB-7 DSS5160FDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS5160FDB.pdf Description: TRANS 2PNP 60V 1A U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 405mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 11888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.23 грн
10+41.76 грн
100+27.12 грн
500+19.53 грн
1000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5160FDB-7 DSS5160FDB-7 Виробник : Diodes Zetex dss5160fdb.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5160FDB-7 DSS5160FDB-7 Виробник : Diodes Inc 118dss5160fdb.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5160FDB-7 DSS5160FDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS5160FDB.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.