DSS5160TQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 725 mW
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.79 грн |
| 15+ | 19.86 грн |
| 100+ | 13.44 грн |
| 500+ | 9.81 грн |
| 1000+ | 8.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSS5160TQ-7 Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 725 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DSS5160TQ-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DSS5160TQ-7 | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor |
на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DSS5160TQ-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)