Продукція > DIODES INCORPORATED > DSS5540X-13
DSS5540X-13

DSS5540X-13 Diodes Incorporated

DSS5540X.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 4A SOT-89-3
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS5540X-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DSS5540X-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 900 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 900mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-89, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 60MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції DSS5540X-13 за ціною від 13.80 грн до 67.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DSS5540X-13 DSS5540X-13 DIODES INCORPORATED DSS5540X.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 900mW; SOT89
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 50...350
Frequency: 60MHz
Collector current: 4A
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.79 грн
18+23.87 грн
100+17.95 грн
500+14.90 грн
1000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5540X-13 DSS5540X-13 Diodes Incorporated DSS5540X.pdf Description: TRANS PNP 40V 4A SOT-89-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
на замовлення 4963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.25 грн
10+40.15 грн
25+33.58 грн
50+27.63 грн
100+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5540X-13 DSS5540X-13 Diodes Incorporated DSS5540X.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5540X-13 DSS5540X-13 DIODES INC. DSS5540X.pdf Description: DIODES INC. - DSS5540X-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 900 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5540X-13 DSS5540X-13 DIODES INC. DSS5540X.pdf Description: DIODES INC. - DSS5540X-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 900 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5540X-13 DSS5540X.pdf
DSS5540X-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 4A; 900mW; SOT89
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Manufacturer standard package: 2500pcs.
Collector-emitter voltage: 40V
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 50...350
Frequency: 60MHz
Collector current: 4A
на замовлення 1548 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.79 грн
18+23.87 грн
100+17.95 грн
500+14.90 грн
1000+13.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5540X-13 DSS5540X.pdf
DSS5540X-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 4A SOT-89-3
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Frequency - Transition: 60MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 900 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
на замовлення 4963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.25 грн
10+40.15 грн
25+33.58 грн
50+27.63 грн
100+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5540X-13 DSS5540X.pdf
DSS5540X-13
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5540X-13 DSS5540X.pdf
DSS5540X-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS5540X-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 900 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSS5540X-13 DSS5540X.pdf
DSS5540X-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS5540X-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 4 A, 900 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 900mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 60MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.