DSS60600MZ4Q-13 Diodes Incorporated


DSS60600MZ4Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 1.2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+51.57 грн
10+33.28 грн
100+22.78 грн
500+16.89 грн
1000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS60600MZ4Q-13 Diodes Incorporated

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Supplier Device Package: SOT-223-3, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Power - Max: 1.2 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V.

Інші пропозиції DSS60600MZ4Q-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DSS60600MZ4Q-13 DSS60600MZ4Q-13 Diodes Incorporated DSS60600MZ4Q.pdf Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 2.5K
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSS60600MZ4Q-13 DSS60600MZ4Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 2.5K
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.