DSS60601MZ4Q-13

DSS60601MZ4Q-13 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0008533997_1-2543034.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 2.5K
на замовлення 1770 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+37.99 грн
10+ 31.75 грн
100+ 20.28 грн
500+ 15.92 грн
1000+ 12.29 грн
2500+ 10.11 грн
10000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS60601MZ4Q-13 Diodes Incorporated

Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 500 mW.

Інші пропозиції DSS60601MZ4Q-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DSS60601MZ4Q-13 Виробник : Diodes Inc dss60601mz4q.pdf Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 2.5K
товар відсутній
DSS60601MZ4Q-13 DSS60601MZ4Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DSS60601MZ4Q.pdf Description: TRANS PNP 120V 0.7A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 500 mW
товар відсутній