DSS8110Y-7

DSS8110Y-7 DIODES INC.


DIODS21713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.65 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS8110Y-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DSS8110Y-7 за ціною від 3.17 грн до 25.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS8110Y.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
6000+4.77 грн
9000+4.51 грн
15000+3.96 грн
21000+3.79 грн
30000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS8110Y.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS NPN
на замовлення 65703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.84 грн
38+9.09 грн
100+4.91 грн
1000+4.25 грн
3000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Виробник : DIODES INC. DIODS21713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
59+14.13 грн
90+9.20 грн
148+5.58 грн
500+4.65 грн
1000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 59
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS8110Y.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.34 грн
20+15.25 грн
100+9.59 грн
500+6.68 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DSS8110Y.pdf DSS8110Y-7 NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.