DSS8110Y-7

DSS8110Y-7 Diodes Incorporated


DSS8110Y.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.49 грн
6000+4.77 грн
9000+4.51 грн
15000+3.95 грн
21000+3.79 грн
30000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS8110Y-7 Diodes Incorporated

Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363, Power - Max: 625 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Supplier Device Package: SOT-363, Frequency - Transition: 100MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DSS8110Y-7 за ціною від 3.52 грн до 25.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Diodes Incorporated DSS8110Y.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS NPN
на замовлення 38173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.70 грн
22+15.12 грн
100+8.30 грн
500+6.19 грн
1000+4.64 грн
3000+3.87 грн
6000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Diodes Incorporated DSS8110Y.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.32 грн
20+15.24 грн
100+9.58 грн
500+6.67 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y.pdf
DSS8110Y-7
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS NPN
на замовлення 38173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.70 грн
22+15.12 грн
100+8.30 грн
500+6.19 грн
1000+4.64 грн
3000+3.87 грн
6000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y.pdf
DSS8110Y-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.32 грн
20+15.24 грн
100+9.58 грн
500+6.67 грн
1000+5.92 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.