Продукція > DIODES INCORPORATED > DSS8110Y-7
DSS8110Y-7

DSS8110Y-7 Diodes Incorporated

DSS8110Y.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-363
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.37 грн
6000+4.67 грн
9000+4.41 грн
15000+3.87 грн
21000+3.71 грн
30000+3.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS8110Y-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: DSS Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DSS8110Y-7 за ціною від 5.80 грн до 24.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Diodes Incorporated DSS8110Y.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
20+14.92 грн
100+9.38 грн
500+6.53 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 Diodes Incorporated DSS8110Y.pdf Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS NPN
на замовлення 38173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 DIODES INC. DIODS21713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y-7 DIODES INC. DIODS21713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y.pdf
DSS8110Y-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 48669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.80 грн
20+14.92 грн
100+9.38 грн
500+6.53 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DSS8110Y.pdf
DSS8110Y-7
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS NPN
на замовлення 38173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DIODS21713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS8110Y-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DSS8110Y-7 DIODS21713-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DSS8110Y-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DSS8110Y-7 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 625 mW, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DSS Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.