DTA023JMT2L Rohm Semiconductor
на замовлення 11760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5282+ | 2.30 грн |
| 5435+ | 2.24 грн |
| 10000+ | 2.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA023JMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: VMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTA023JMT2L за ціною від 1.61 грн до 15.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTA023JMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
 Digital Transistors PNP Digital Transtr w/built in resistors |
на замовлення 7750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTA023JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTA023JMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: VMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товару немає в наявності |